第250章 时间很紧（3 / 4）

进行数据的统计分析。

因为9组数据的硼源选择都是b（ch3）3，所以这次的实验倒是不需要考虑硼源的影响了。

陈舟完全的投入到了紧张的数据分析之中。

也许是知道时间很紧的原因，陈舟手上的动作，也比平时加快了不少。

无论是敲击键盘的速度，还是拿笔在草稿纸上进行记录。

陈舟都尽量的在追赶着地球转动的步伐。

p型掺杂的实验数据搞定之后，陈舟开始处理n型掺杂实验的数据。

n型掺杂，也就是磷掺杂。

除了考虑和p型掺杂一样的磷的掺杂浓度、衬底晶面、温度这些基本的影响因素。

还有一点需要考虑。

那就是磷掺杂金刚石的电子散射机制，对迁移效率，同样有影响。

金刚石半导体中的电子散射机制，与内部的声学声子、谷间声子、离子杂质和中性杂质有关。

在室温下，当磷的掺杂浓度超过1x10^18/cm3时，杂质散射或缺陷态散射其主要作用。

而当磷的掺杂浓度低于这个浓度时，杂质电离散射变为声学声子散射。

当然，这种简单的判别并不充分。

因为磷掺杂自身也会引入其他散射。

像磷—碳共价键的键长失配导致的内应力引起的散射。

另外，在不同的温度区间，主要的散射机制也不同。

低温条件下，声学声子散射为主要散射机制。

而高温时，电子则受到声学声子散射和谷间声子散射的共同作用。

好在先前陈舟已经跟彭飞确认了磷的掺杂浓度是在4x10^15/cm3~2x10^15/cm3区间内依次选取的。

再根据手头的实验数据，倒是不难判断散射机制的主要因素。

n型掺杂的数据结束后，还剩下共掺杂的数据。

共掺杂也是n型掺杂，有